随着芯片从FinFET向GAA演进、器件尺寸不断缩小，传统光学量测已难满足精度需求，而电子束检测速度又跟不上节奏。极紫外（EUV）量测凭借更高的分辨率、更快的速度和无损特性，成为先进工艺检测的必然方向。长期以来，ASML不仅在EUV光刻占据主导，其在EUV量测领域也构建了较高的进入门槛，但这一“第二道防线”正被国内企业开始突破。
目前已有华芯极光、朗道科技、云栖极耀、华日激光和皓宇芯光五家公司先后切入，从光源研发到系统集成逐步形成国产化矩阵。EUV量测的核心在于光源，主流路线包括LPP（激光等离子体）、DPP（放电等离子体）、加速器光源和HHG（高次谐波产生）。其中LPP与DPP功率较高，但成本与复杂度也大；加速器体积大、难以产线部署；HHG具备桌面化部署、波长可调和成本可控的优势，且被国际技术路线图视为下一代EUV量测的重要方向。
在国内布局方面，各家侧重点不同：华芯极光团队有多年相关研发背景，聚焦LPP光源中液滴锡靶的产生与动力学控制等关键环节，并掌握多项相关专利；朗道科技的创始团队来自高校放电等离子体实验室，已完成A轮融资，主攻LPP路线；云栖极耀着力于紧凑型等离子体光源的开发，获得多家机构的初期投资；华日激光依托高校团队推进相干EUV光源产业化；皓宇芯光专注HHG路线，覆盖从软X射线到真空紫外的光谱区间，其HHG方案在检测分辨率上被认为可显著优于传统DUV光源。
不过挑战仍然明显：LPP光源对锡液滴的尺寸、位置和动力学控制要求极高；HHG光源目前功率多在毫瓦到瓦级，距离大规模产业化还有较长技术与工程化路径。随着高亮度相干EUV光源的进展，以及相干衍射成像、散射量测等方法的融合，国产EUV量测设备在掩模缺陷识别、晶圆三维尺寸测量和光刻胶表征等关键环节有望实现突破，国内厂商能否加速量产并缩小与国际领先者的差距，仍是接下来半导体装备领域的焦点。
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